華太電子已經成功量產了1200V和650V場截止IGBT(FS-IGBT)。這些器件采用國際領先的第七代工藝,并采用精細溝槽柵的設計。
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小貼士
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Q:華太IGBT產品和其他國產品牌對比在性能和價格上的優勢和劣勢是什么?
A:開關損耗較競品小30%;劣勢:di/dt偏大容易導致電壓應力過大,需要外電路匹配產品具有很好的性價比,產品性能優于國際頭部友商,價格與國內IGBT基本持平。
Q:SJIGBT相對FSIGBT的優缺點,需要提供相關的測試數據,特別是SJ相對比現在FS的缺點,有碰到哪些問題?成本優勢?供應?還是技術還存在某些問題?是否是制約當前SJIGBT發展的重要因素。
A:開關損耗較競品小30%;劣勢:di/dt偏大容易導致電壓應力過大,需要外電路匹配。

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